我们的项目聚焦于开发关键到导体制程材料，包括先进封装光刻胶、显影液、去光阻剂和高纯度溶剂。

1.封装光刻胶技术突破 ：

1.解析度提升：市场标准（JSR/TOK/MERCK）解析度≤1μm，本技术解析度提升至≤0.5μm 。解析度提升50%，提高封装密度度 ；

2.光学吸收系数优化：市场标准UV吸收范围为365-405nm，本技术目UV吸收范围为248-365nm •。提高30%吸收效率，减少曝光剂量。

通过新型感光剂合成技术，我们的封装光阻将显著提高解析度和光学吸收效率，满足高密度封装需求，特别是Fan-out封装和Chiplet技术的应用要求。

2.显影液技术突破 ：

1.蚀刻选择性为0.8Å/s，高于常规的1.5~2.0Å/s；

2.金属损失减少了60%，技术优势显著;

3.金属离子控制≤1ppb，满足先进工艺要求。

通过缓冲PH设计及高选择性显影剂技术，大幅降低对Ag/Al/Cu/Au的蚀刻速率，确保导线完整性。 

3.去光阻剂技术突破：

1.残留物控制：市场标准残留物为5-10nm，本技术降低至≤3nm。清洁度提高40-70%，减少二次污染风险；

2.纵深比提升：市场标准纵深比为≤5：1，本技术提升至≥10：1。去光阻力提升2被，适用于3D IC及异质整合封装。

解决深孔结构中的残留问题，提高封装良率与可靠性，超越现有市场产品性能。

4.高纯度溶剂技术突破：

1.超高纯度：本技术金属杂质含量≤10ppt，远低于市场标准≤100ppt；

2.多阶提纯：本技术用友先进的多阶提纯与精密过滤技术；

3.良率提升：降低制程污染风险90%，提升良率5-8%；

4.循环经济：满足市场永续发展需求。

我们的高纯度溶剂技术通过独特的多阶提纯工艺，可将金属杂质含量控制在≤10ppt水平，为高阶晶圆制程提供更高可靠性的关键材料，同时结合循环经济理念，满足市场可持续发展需求。